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简介
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科研成果
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Tunable Schottky Barrier and Efficient Ohmic Contacts in MSi
2
N
4
(M = Mo, W)/2D Metal Contacts
Wen Ai, Yongfei Shi,
Xiaohui Hu
,
Jian Yang
, Litao Sun
材料科学与工程学院
Nanjing Tech University
The Eighth Research Academy of CSSC
Southeast University, Nanjing
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
15
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Tunable Schottky Barrier and Efficient Ohmic Contacts in MSi
2
N
4
(M = Mo, W)/2D Metal Contacts' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Density
25%
Field Effect Transistor
25%
Hole Mobility
25%
Monolayer
25%
Schottky Barrier
100%
Physics
Schottky Barrier Height
33%
Work Function
100%